特許
J-GLOBAL ID：200903038405556513
液晶表示装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-260198
公開番号（公開出願番号）：特開2003-066487
出願日： 2001年08月29日
公開日（公表日）： 2003年03月05日
要約：
【要約】【課題】 画素の高密度化および表示装置の高輝度化を同時に図ることができると共に、電気的特性を向上させることができる液晶表示装置を提供する。【解決手段】 補助容量20は、接続孔30aが形成された層間絶縁膜30を間にして、画素トランジスタ40の略下方位置に設けられると共に、補助容量20の下部電極層21は接続孔30aに形成された接続電極31を介して画素トランジスタ40の不純物領域41Aと電気的に接続される。補助容量20の容量が十分に確保されると共に、光の透過領域の面積が拡大される。補助容量20の下部電極層21が画素トランジスタ40の不純物領域41Aと接続され、補助容量20の下部電極層21と画素トランジスタ40の不純物領域41A, 41Bを含む半導体層41との距離が長くなるので、これらの間の寄生容量の発生が抑制されて、画素トランジスタ40の特性が安定する。
請求項（抜粋）：
第1の電極層、誘電体膜および第2の電極層の積層構造からなり、透明基板の上に設けられた補助容量と、この補助容量を覆うようにして透明基板の上に形成された第1の層間絶縁膜と、この第1の層間絶縁膜に形成された第1の接続孔に埋設されると共に、前記補助容量の第1の電極層に電気的に接続された接続電極と、前記第1の層間絶縁膜の上に設けられると共に、不純物領域が前記接続電極を介して補助容量の第1の電極層と電気的に接続された画素トランジスタとを備えたことを特徴とする液晶表示装置。
Fターム (12件)：
2H092GA29
, 2H092GA30
, 2H092JB63
, 2H092JB65
, 2H092JB66
, 2H092JB69
, 2H092KA04
, 2H092KA05
, 2H092KA18
, 2H092KB25
, 2H092NA01
, 2H092NA23
