特許
J-GLOBAL ID:200903038417718608

パターン形成材料

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小島 隆司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-351957
公開番号(公開出願番号):特開平9-185158
出願日: 1995年12月27日
公開日(公表日): 1997年07月15日
要約:
【要約】【課題】 電子線、X線、遠紫外線等の放射線を使用して半導体素子、光学素子等の機能素子の表面に超微細加工技術によるパターンを形成する際、安定かつ解像度、再現性に優れたパターンを与え、微細加工が可能なパターン形成材料を得る。【解決手段】 アルカリ可溶性ポリマーの水酸基の全部又は一部をターシャリーブトキシカルボニルオキシ基及び/又はターシャリーブトキシ基で保護したポリマーをベースポリマーとする化学増幅型パターン形成材料に、脱離助剤としてアルコール性水酸基を有する化合物を配合する。
請求項(抜粋):
アルカリ可溶性ポリマーの水酸基の全部又は一部をターシャリーブトキシカルボニルオキシ基及び/又はターシャリーブトキシ基で保護したポリマーをベースポリマーとする化学増幅型パターン形成材料に、脱離助剤としてアルコール性水酸基を有する化合物を配合することを特徴とするパターン形成材料。
IPC (3件):
G03F 7/004 501 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/027
FI (3件):
G03F 7/004 501 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/30 502 R
引用特許:
審査官引用 (4件)
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