特許
J-GLOBAL ID：200903038482888740
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-044578
公開番号（公開出願番号）：特開平8-298288
出願日： 1996年03月01日
公開日（公表日）： 1996年11月12日
要約：
【要約】【課題】 微細なコンタクト孔内にアルミニウムを良好に埋め込むことができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板(1) 上の絶縁膜(3) にコンタクト孔(3a)を形成し、全面に下地金属膜(4) を形成する。次に、下地金属膜表面を水素を含むプラズマで処理し、その状態を調整する。この水素プラズマ処理により、下地金属膜(4) の表面が水素化されると共にスパッタエッチングされ、表面に形成された変質層や表面に付着した汚染物が除去され、下地金属膜の表面を清浄にすることができる。次にDMAHのような有機アルミニウム化合物を用いて化学気相堆積法により下地金属膜上にアルミニウムを堆積させる。このように構成することにより、化学気相堆積法を有効に利用でき、微細なコンタクト孔内にアルミニウムを良好に堆積させることができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、配線要素がその中に形成されるべき凹部を有する絶縁膜が形成され、前記絶縁膜の凹部内周面上および表面上に高融点金属を含む下地金属膜が形成された基板上に、配線用金属を堆積するに当たり、前記下地金属膜表面の状態を水素プラズマを用いて調整する工程と、化学気相堆積法により、少なくとも前記凹部内周面上の下地金属膜上に、配線用金属を堆積させる工程とを具えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/768
, H01L 21/203
, H01L 21/28 301
, H01L 21/28
, H01L 21/285
, H01L 21/3065
H01L 21/90 C
, H01L 21/203 S
, H01L 21/28 301 R
, H01L 21/28 301 L
, H01L 21/285 C
, H01L 21/302 L
