半導体装置およびその形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：八田幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-168329
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335759
出願日： 1995年06月09日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】滑らかな拡散防止膜の側壁に形成される金属層、すなわちアルミニウム層がアルミニウム原子の初期蒸着特性の良さにより、アルミニウム膜の段差塗布性が良好であり、均一で連続的な膜に蒸着される、コンタクトホールやブァイアホールのような開口部を埋没する半導体装置の配線構造およびその形成方法を提供する。【構成】半導体基板31と、前記半導体基板上に形成され、その内部に形成された開口部を含む絶縁層35と、前記開口部の両側壁にプラズマ印加により形成された平滑な表面を有する拡散防止膜37と、前記拡散防止膜上に形成されている金属層41とを含む。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、その内部に形成された開口部を含む絶縁層と、前記開口部の両側壁にプラズマ印加により形成された平滑な表面を有する拡散防止膜と、前記拡散防止膜上に形成されている金属層と、を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/768 , H01L 21/28 301

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-280425
特開平4-225223
集積回路装置用配線膜の成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-154981 出願人：富士電機株式会社

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