特許
J-GLOBAL ID：200903038503636282

低容量の誘電体層をエッチングするための技術

発明者：
モーレイ・イアン・ジェイ.

モーレイ・イアン・ジェイ. について

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エリングボエ・スーザン

エリングボエ・スーザン について

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フランナー・ジャネット・エム.

フランナー・ジャネット・エム. について

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ジャノウィアク・クリスティーン・エム.

ジャノウィアク・クリスティーン・エム. について

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ラング・ジョン

ラング・ジョン について


出願人/特許権者：
ラム・リサーチ・コーポレーション

ラム・リサーチ・コーポレーション について


代理人 (1件)： 特許業務法人 明成国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-616058
公開番号（公開出願番号）：特表2002-543613
出願日： 2000年05月04日
公開日（公表日）： 2002年12月17日
要約：
【要約】プラズマ処理チャンバ内で低容量の誘電体層をエッチングするための技術を開示する。この技術では、N2と、O2と、炭化水素とを含んだエッチング化学剤が使用される。このエッチング化学剤から生成されるプラズマで低容量の誘電体層をエッチングすることによって、高いエッチング速度を得ることができ、それと同時に、プロフィル制御を維持し、低容量の層にエッチングされる開口部(例えばビア/トレンチ)の微小寸法を保つことが可能になる。
請求項（抜粋）：
プラズマ処理チャンバ内において、低容量の誘電体層をエッチングするための方法であって、前記低容量の誘電体層は基板上においてハードマスク層の下に配置され、前記方法は、 N2と、O2と、炭化水素と、を含んだエッチング化学剤を、前記プラズマ処理チャンバ内に流し込む工程と、 前記エッチング化学剤からプラズマを生成する工程と、 前記プラズマを使用し、前記ハードマスク層の開口部を通して前記低容量の誘電体層をエッチングする工程と、 を備える方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768
FI (3件)：
H01L 21/28 L ,  H01L 21/302 F ,  H01L 21/90 A
Fターム (32件)：
4M104DD08 ,  4M104DD20 ,  4M104EE18 ,  4M104HH14 ,  5F004AA05 ,  5F004BA04 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004BB22 ,  5F004BB25 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA03 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB23 ,  5F004EA06 ,  5F004EA07 ,  5F004EB03 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ24 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR21 ,  5F033WW04 ,  5F033WW05 ,  5F033WW06 ,  5F033XX24
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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