特許
J-GLOBAL ID:200903038514098010

誘導素子及び誘導素子を製造するための方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (8件): 矢野 敏雄 ,  山崎 利臣 ,  久野 琢也 ,  杉本 博司 ,  星 公弘 ,  二宮 浩康 ,  アインゼル・フェリックス=ラインハルト ,  ラインハルト・アインゼル
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-510399
公開番号(公開出願番号):特表2009-537976
出願日: 2007年05月03日
公開日(公表日): 2009年10月29日
要約:
本発明は、複数の層から形成される誘導素子の製造方法に関し、この場合a)導電性材料(511〜514;521〜524)を前記素子(I,II,III,IV)の巻線として第1の非磁性誘電セラミック層(5;5a〜5h)に配設するステップと、b)少なくとも1つの貫通形孔部ないし切欠部(53,53′,53′′,53′′′)を非磁性誘電セラミック層に形成するステップと、c)第1の磁性セラミック層(6)を前記非磁性誘電セラミック層の上側に配置し、第2の磁性セラミック層(7)を前記非磁性誘電セラミック層の下側に配置するステップとを実施し、さらにd)前記磁性セラミック層(6,7)の少なくとも1つを可塑的に次のように、すなわち前記2つの磁性セラミック層が前記孔部ないし切欠部領域においてコンタクトしかつ当該素子の磁気コアが形成されるように成形するプロセスステップが実施される。
請求項(抜粋):
複数の層から形成される誘導素子の製造方法において、 a)導電性材料(511〜514;521〜524)を前記素子(I,II,III,IV)の巻線として第1の非磁性誘電セラミック層(5;5a〜5h)に配設するステップと、 b)少なくとも1つの貫通形孔部ないし切欠部(53,53′,53′′,53′′′)を前記非磁性誘電セラミック層(5;5a〜5h)に形成するステップと、 c)第1の磁性セラミック層(6)を前記非磁性誘電セラミック層(5;5a〜5h)の上側に配設し、第2の磁性セラミック層(7)を前記非磁性誘電セラミック層(5;5a〜5h)の下側に配設するステップとを実施し、さらに、 d)前記磁性セラミック層(6,7)の少なくとも1つを可塑的に次のように成形する、すなわち前記2つの磁性セラミック層(6,7)が前記孔部ないし切欠部(53,53′,53′′,53′′′)領域においてコンタクトしかつ当該素子(I,II,III,IV)の磁気コアが形成されるように成形するプロセスステップを実施するステップとを有していることを特徴とする方法。
IPC (2件):
H01F 17/00 ,  H01F 41/04
FI (2件):
H01F17/00 A ,  H01F41/04 C
Fターム (6件):
5E062DD01 ,  5E062DD09 ,  5E070AA01 ,  5E070AA11 ,  5E070CB01 ,  5E070CB04
引用特許:
審査官引用 (6件)
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