結晶質シリコン系半導体薄膜の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-047184
公開番号（公開出願番号）：特開2001-237187
出願日： 2000年02月24日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：

【要約】【課題】低温プラズマCVD法で形成する結晶質シリコン系半導体薄膜の成膜速度を高速化することによって、その生産効率を高めるとともにその膜特性をも改善する。【解決手段】結晶質シリコン系半導体薄膜の製造方法は、そのシリコン系薄膜をプラズマCVD法で堆積する条件として:基板に対向して反応ガスを吹出すプラズマ放電電極が配置され、その電極に含まれる複数のガス放出穴の各々はガス導入側に比べてガス放出側において大きな断面直径を有し;反応室内のガス圧は5Torr以上であり;反応ガスは主要成分としてシランガスと水素ガスを含み;そしてシリコン系薄膜の堆積速度が1μm/h以上であることを特徴としている。

請求項（抜粋）：

結晶質シリコン系半導体薄膜の製造方法であって、基板上に前記シリコン系薄膜をプラズマCVD法で堆積する条件として、プラズマ反応室内において第1の電極上に前記基板が配置され、前記基板に対向して第2の電極が配置され、前記第2電極は前記シリコン系薄膜を堆積するための反応ガスを前記基板に向けて放出するために複数のガス放出穴を有し、前記ガス放出穴の各々はガス導入側に比べてガス放出側において大きな断面直径を有し、前記反応室内の反応ガス圧は5Torr以上であり、前記反応ガスは主要成分としてシランガスと水素ガスを含み、そして、前記シリコン系薄膜の堆積速度が1μm/h以上であることを特徴とする結晶質シリコン系半導体薄膜の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 , C23C 16/24 , C30B 29/06 504 , C30B 29/06 , H01L 31/04

FI (7件)：

H01L 21/205 , C23C 16/24 , C30B 29/06 504 B , C30B 29/06 504 C , H01L 31/04 V , H01L 31/04 X , H01L 31/04 W

Fターム (69件)：

4G077AA03 , 4G077BA04 , 4G077DB04 , 4G077DB11 , 4G077DB16 , 4G077EA01 , 4G077EA04 , 4K030AA06 , 4K030AA17 , 4K030BA29 , 4K030BA45 , 4K030CA06 , 4K030CA17 , 4K030EA04 , 4K030FA03 , 4K030HA04 , 4K030JA01 , 4K030JA05 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030JA12 , 4K030JA16 , 4K030JA18 , 4K030KA17 , 4K030LA16 , 5F045AA08 , 5F045AB03 , 5F045AB06 , 5F045AC01 , 5F045AC02 , 5F045AC03 , 5F045AC05 , 5F045AC16 , 5F045AC17 , 5F045AD09 , 5F045AE21 , 5F045AE23 , 5F045AF07 , 5F045BB07 , 5F045BB08 , 5F045BB09 , 5F045BB12 , 5F045BB14 , 5F045BB16 , 5F045CA13 , 5F045DA61 , 5F045EE12 , 5F045EH05 , 5F045EH07 , 5F045EH14 , 5F045EH19 , 5F051AA05 , 5F051CA02 , 5F051CA03 , 5F051CA04 , 5F051CA07 , 5F051CA08 , 5F051CA09 , 5F051CA16 , 5F051CA23 , 5F051CA36 , 5F051CA37 , 5F051DA04 , 5F051DA17 , 5F051FA02 , 5F051FA03 , 5F051FA04 , 5F051FA06 , 5F051FA18

引用特許：

審査官引用 (5件)

シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法とその方法に用いられるプラズマCVD装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-054207 出願人：鐘淵化学工業株式会社
特開昭61-260623
ウェハの容量結合放電処理装置および方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-214557 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

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