特許

J-GLOBAL ID：200903038539390492

ドープされた部分を有する堆積チャネル領域を含むトランジスタ

発明者： ホフマン,ランディ
出願人/特許権者： ヒューレット-パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー.
代理人 (3件)： 古谷 聡 ,  溝部 孝彦 ,  西山 清春
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-551083
公開番号（公開出願番号）：特表2007-519256
出願日： 2004年12月20日
公開日（公表日）： 2007年07月12日
要約：

ゲート電極(12、60)と、ソース電極(20、62)と、ドレイン電極(22、64)と、誘電体材料(16、70)と、ソース電極(20、62)とドレイン電極(22、64)との間に配置されるチャネル領域(18、80)とを有するトランジスタ(10、40、42、44、46)。チャネル領域(18、80)が、不純物がドープされている部分(82)を含み、これにより、チャネル領域(18、80)の残りの部分に対して、その部分(82)内の固定電荷密度が変えられる。

請求項（抜粋）：

ソース電極(20、62)と、 ドレイン電極(22、64)と、 ゲート電極(12、60)と、 堆積薄膜チャネル領域(18、80)であって、不純物がドープされている部分(82)を有し、これにより、該チャネル領域(18、80)の残りの部分に対して当該部分(82)内の固定電荷密度が変更されており、前記ソース電極(20、62)と前記ドレイン電極(22、64)との間に配置されている堆積薄膜チャネル領域(18、80)と、 前記ゲート電極(12、60)を前記チャネル領域(18、80)から電気的に分離する誘電体材料(16、70)とを備えている、薄膜トランジスタ(10、40、42、44、46)。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L29/78 618F ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 612Z

Fターム (23件)：

5F110AA08 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE07 ,  5F110EE42 ,  5F110FF02 ,  5F110FF27 ,  5F110GG04 ,  5F110GG19 ,  5F110GG32 ,  5F110GG42 ,  5F110GG51 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開昭63-258072
  
• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-230365   出願人：シャープ株式会社, 川崎雅司
• 半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-264885   出願人：科学技術振興事業団

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-258072
  
• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-230365   出願人：シャープ株式会社, 川崎雅司
• 半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-264885   出願人：科学技術振興事業団
• 特開昭63-258072