特許
J-GLOBAL ID：200903079393936690

半導体素子

発明者：
川崎 雅司

川崎 雅司 について

, 
齊藤 肇

齊藤 肇 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について

, 
川崎 雅司

川崎 雅司 について


代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-230365
公開番号（公開出願番号）：特開2003-046081
出願日： 2001年07月30日
公開日（公表日）： 2003年02月14日
要約：
【要約】【課題】 半導体層の性能を十分に発揮することができる半導体素子を提供する。【解決手段】 半導体素子は、エピタキシャル成長で形成された半導体層11と、この半導体層11上にエピタキシャル成長で形成され、半導体層11より広いバンドギャップを有する酸化物障壁層12とから成る積層構造を備えている。上記半導体層11と酸化物障壁層12との間に電圧を印加することによって、酸化物障壁層12に接する半導体層11の界面に高移動度のキャリアガスを生ぜしめる。
請求項（抜粋）：
エピタキシャル成長で形成された酸化亜鉛系または窒化物系半導体層と、上記半導体層上にエピタキシャル成長で形成され、上記半導体層より広いバンドギャップを有する酸化物障壁層とから成る積層構造を備え、上記半導体層と上記酸化物障壁層との間に電圧を印加することによって、上記酸化物障壁層に接する上記半導体層の界面に高移動度のキャリアガスを生ぜしめることを特徴とする半導体素子。
IPC (8件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/786 ,  H01L 29/812 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/183 ,  H01S 5/327
FI (7件)：
H01L 33/00 D ,  H01S 5/183 ,  H01S 5/327 ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 617 T ,  H01L 29/80 H
Fターム (43件)：
5F041AA21 ,  5F041AA24 ,  5F041CA08 ,  5F041CA12 ,  5F041CA41 ,  5F073AA89 ,  5F073AB17 ,  5F073CA22 ,  5F073EA14 ,  5F073EA23 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GL01 ,  5F102GM01 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GQ03 ,  5F102GT01 ,  5F102GT02 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01 ,  5F110AA01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110CC04 ,  5F110DD01 ,  5F110FF01 ,  5F110FF05 ,  5F110FF27 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG42 ,  5F140AA01 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BA10 ,  5F140BA16 ,  5F140BC12 ,  5F140BD13 ,  5F140BE09
引用特許：
審査官引用 (4件)
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引用文献：
審査官引用 (2件)

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