特許
J-GLOBAL ID：200903038549695119

MOSトランジスタの製造方法

発明者：
ベルンハルト ルスティッヒ

ベルンハルト ルスティッヒ について

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ヘルベルト シェーファー

ヘルベルト シェーファー について

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マーティン フラノシュ

マーティン フラノシュ について


出願人/特許権者：
シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト

シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト について


代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-515127
公開番号（公開出願番号）：特表2001-501033
出願日： 1997年09月03日
公開日（公表日）： 2001年01月23日
要約：
【要約】HDDプロファイル及びLDDプロファイルを有するMOSトランジスタを製造するために、LDDプロファイルの範囲に急勾配のドーピング物質プロファイルを発生するように、まずHDDプロファイル、かつ続いてLDDプロファイルを形成する。LDDプロファイルは、有利にはエッチング及びその場でドーピングされる選択的エピタキシーによって製造する。
請求項（抜粋）：
少なくとも主面の範囲にシリコンを含む基板の主面上に、ゲート誘電体(5)とゲート電極(6)を形成し、 実質的に同じ形の縁カバーを有する第1の補助層(8)を堆積させ、 実質的に同じ形の縁カバーを有する第2の補助層(9)を堆積させ、この補助層が、第1の補助層(8)に対して選択的にエッチング可能であり、 ゲート電極(6)の側面の範囲において第2の補助層(9)の異方性再エッチングによって、スペーサ(91)を形成し、 ソース/ドレイン領域のための第1の部分領域(13)を形成するために注入を行ない、 第1の補助層(8)に対して選択的にスペーサ(91)を除去し、 次にソース/ドレイン領域の第2の部分領域(18)を形成する範囲において、基板(1)の表面をエッチング(17)し、 その場でドーピングされる選択的エピタキシーによって、ソース/ドレイン領域のための第2の部分領域(18)を形成し、その際、第2の部分領域(18)が、第1の部分領域(15)よりもわずかなドーピング物質濃度及びわずかな深さを有することを特徴とする、MOSトランジスタの製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/8238 ,  H01L 21/336 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786
FI (3件)：
H01L 27/08 321 E ,  H01L 29/78 301 L ,  H01L 29/78 616 A
引用特許：
審査官引用 (4件)
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