半導体装置とその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋敬四郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-016781
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213792
出願日： 1996年02月01日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【課題】配線層が形成される基板表面のグローバルな平坦性を改善する半導体装置とその作製方法を提供することである。【解決手段】本願の半導体装置の製造方法は、基板表面に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の表面の一部領域を一部の厚さエッチングし、溝を形成する工程と、さらに前記絶縁膜上に溝の深さとほぼ同じ厚さの導電性膜を形成する工程と、前記導電性膜をパターニングし、前記溝の底面上に配線を形成する工程とを有し、前記配線を形成する工程が、前記配線の側壁とそれに対向する前記溝の側壁との間に側溝を有するように前記配線を形成する。配線の上面の高さと溝が形成されていない絶縁膜の上面の高さが揃い、基板表面のグローバルな平坦性が改善される。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の表面の一部領域を一部の厚さエッチングし、配線用の溝を形成する工程と、さらに前記絶縁膜上に導電性膜を形成する工程と、前記導電性膜をパターニングし、前記溝の底面上に配線の側壁とそれに対向する前記溝の側壁との間に側溝を有するように配線を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/768 , H01L 21/316 , H01L 21/3205 , H01L 21/31

FI (4件)：

H01L 21/90 B , H01L 21/316 G , H01L 21/88 K , H01L 21/95

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平1-129443
特開平1-129443
特開昭63-287035

全件表示

前のページに戻る