特許
J-GLOBAL ID:200903038603348519
プラズマエッチング装置用フォーカスリング及びこれを用いたプラズマエッチング装置
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-025651
公開番号(公開出願番号):特開2002-231698
出願日: 2001年02月01日
公開日(公表日): 2002年08月16日
要約:
【要約】【課題】 シリコンウエハのエッチング不良を防止して半導体集積回路の生産歩留り、フォーカスリング使用開始直後の生産歩留りを大幅に低減できるプラズマエッチング装置に適したフォーカスリング及びこれを用いたプラズマエッチング装置を提供する。【解決手段】 二次イオン質量分析で測定したFe濃度が1×103counts以下であるプラズマエッチング装置用フォーカスリング及び上記のフォーカスリングを有してなるプラズマエッチング装置。
請求項(抜粋):
二次イオン質量分析で測定したFe濃度が1×103counts以下であるプラズマエッチング装置用フォーカスリング。
IPC (4件):
H01L 21/3065
, B01J 19/08
, C04B 35/52
, H05H 1/46
FI (4件):
B01J 19/08 H
, H05H 1/46 M
, H01L 21/302 C
, C04B 35/52 A
Fターム (24件):
4G032AA07
, 4G032AA14
, 4G032BA04
, 4G032GA11
, 4G032GA19
, 4G075AA24
, 4G075AA30
, 4G075BC06
, 4G075BD03
, 4G075BD14
, 4G075CA47
, 4G075DA01
, 4G075EA01
, 4G075EB01
, 4G075EB42
, 4G075EC21
, 4G075EE02
, 4G075FB03
, 5F004BA04
, 5F004BB23
, 5F004BB29
, 5F004BC03
, 5F004CA02
, 5F004CA03
引用特許:
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