特許

J-GLOBAL ID：200903062804380940

プラズマエッチング電極、その評価法及びプラズマエッチング装置

発明者： 石井 誠 ,  鈴木 孝幸 ,  渡辺 善光
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-081842
公開番号（公開出願番号）：特開平11-283966
出願日： 1998年03月27日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：

【要約】【課題】 シリコンウエハのエッチング不良を防止して半導体集積回路の生産歩留、使用開始直後のシリコンウエハの金属汚染を大幅に低減できるプラズマエッチング電極、シリコンウエハの金属汚染を防止して半導体集積回路の生産歩留、特に新たなプラズマエッチング電極を使用開始した直後の生産歩留を大幅に低減できるプラズマエッチング装置及びシリコンウエハの金属汚染を防止して半導体集積回路の生産歩留を向上できる、特に新たなプラズマエッチング電極を使用開始した直後の生産歩留を大幅に低減できるプラズマエッチング電極を的確に選択できる評価法を提供する。【解決手段】 プラズマにより消耗する部分が、二次イオン質量分析で測定したFe濃度が1×103counts以下であるガラス状炭素からなるプラズマエッチング電極、このプラズマエッチング電極を有してなるプラズマエッチング装置及びガラス状炭素製プラズマエッチング電極の評価を、二次イオン質量分析でFe濃度を測定することにより行うことを特徴とするプラズマエッチング電極の評価法。

請求項（抜粋）：

プラズマにより消耗する部分が、二次イオン質量分析で測定したFe濃度が1×103counts以下であるガラス状炭素からなるプラズマエッチング電極。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  C04B 35/52 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/66

FI (5件)：

H01L 21/302 B ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/66 N ,  C04B 35/52 A ,  H01L 21/302 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

• プラズマエッチング用カーボン電極
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-200151   出願人：新日本製鐵株式会社, 新日鐵化学株式会社
• 半導体製造装置用セラミックス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-266524   出願人：京セラ株式会社