特許
J-GLOBAL ID:200903038608497008
エレクトロルミネッセントデバイス
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
鈴木 弘男
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-537410
公開番号(公開出願番号):特表2002-507830
出願日: 1999年03月12日
公開日(公表日): 2002年03月12日
要約:
【要約】エレクトロルミネッセントデバイスの製造方法は、第1の極性の電荷キャリアを注入するための第1の電荷キャリア注入層(10)を形成する工程と、第1の電荷キャリア注入層上に有機電荷キャリアの運搬層(11)を形成する工程であって、前記運搬層(11)は当該運搬層の厚さにわたって変化する電子的および/または光学的性質を有する工程と、前記運搬層上に有機発光層(12)を形成する工程と、発光層(12)上に、第2の極性の電荷キャリアを注入するための第2の電荷キャリア注入層(13)を形成する工程と、を有する。
請求項(抜粋):
第1の極性の電荷キャリアを注入するための第1の電荷キャリア注入層を形成する工程と、 第1の電荷キャリア注入層上に有機電荷キャリアの運搬層を形成する工程であって、前記運搬層は当該運搬層の厚さにわたって変化する電子的および/または光学的性質を有する工程と、 前記運搬層上に有機発光層を形成する工程と、 発光層上に、第2の極性の電荷キャリアを注入するための第2の電荷キャリア注入層を形成する工程と、を有するエレクトロルミネッセントデバイスの製造方法。
IPC (4件):
H05B 33/22
, C09K 11/06 680
, H05B 33/10
, H05B 33/14
FI (4件):
H05B 33/22 C
, C09K 11/06 680
, H05B 33/10
, H05B 33/14 A
Fターム (7件):
3K007AB03
, 3K007CA01
, 3K007CB01
, 3K007DA00
, 3K007DB03
, 3K007EB00
, 3K007FA01
引用特許:
審査官引用 (8件)
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特開平3-190088
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特開平3-114197
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特開平4-357694
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