特許

J-GLOBAL ID：200903038638084565

蛍石単結晶の熱処理装置および熱処理方法

発明者： 水垣 勉 ,  北村 郁夫 ,  佐久間 繁 ,  塩澤 正樹 ,  高野 修一 ,  西川 秀美
出願人/特許権者： 株式会社ニコン ,  応用光研工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-070983
公開番号（公開出願番号）：特開平10-265300
出願日： 1997年03月25日
公開日（公表日）： 1998年10月06日
要約：

【要約】【課題】 高精度な光学系に使用できる蛍石単結晶を得るための、熱処理装置および熱処理方法を提供すること。【解決手段】 少なくとも、蛍石単結晶を収納した後に密閉されて真空排気される気密化可能な容器2を有し、この容器2の外側周辺の側部(または側方)、底部(または下方)、及び上部(天端部または上方)に、それぞれ独立に温度制御が可能なヒーター3、4、5、8、9を備えた蛍石単結晶の熱処理装置。

請求項（抜粋）：

少なくとも、蛍石単結晶を収納した後に密閉されて真空排気される気密化可能な容器を有し、この容器の外側周辺の側部(または側方)、底部(または下方)、及び上部(天端部または上方)に、それぞれ独立に温度制御が可能なヒーターを備えた蛍石単結晶の熱処理装置。

IPC (2件)：

C30B 33/02 ,  C30B 29/12

FI (2件)：

C30B 33/02 ,  C30B 29/12

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 特開平4-349199
  
• 熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-187369   出願人：株式会社デンコー
• 特開平4-297504
  
• 特開平2-245579
  
• 高抵抗化合物半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-081755   出願人：株式会社ジャパンエナジー
• 特開平3-285898