III族窒化物半導体装置とその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-182363
公開番号（公開出願番号）：特開2008-010781
出願日： 2006年06月30日
公開日（公表日）： 2008年01月17日
要約：

【課題】本発明では、p型のIII族窒化物半導体層の表面の結晶構造中の窒素量は、その表面以外の結晶構造中の窒素量と同じであり、n型の又はi型のIII族窒化物半導体層の表面の一部の結晶構造中の窒素量は、その表面の一部以外の結晶構造中の窒素量よりも多いことを同時に達成する。【解決手段】 p型の不純物を含む第1のIII族窒化物半導体層の表面に形成されている層を窒素元素を含まないガスでエッチングして、第1のIII族窒化物半導体層の表面の一部を露出させる。n型の不純物を含むか又はi型の第2のIII族窒化物半導体層の表面に形成されている層を、窒素元素を含まないガスでエッチングして、第2のIII族窒化物半導体層の表面の一部を露出させる。第1のIII族窒化物半導体層の露出している表面に窒素を供給して、第2のIII族窒化物半導体層の露出している表面に窒素を供給しない【選択図】図1

請求項（抜粋）：

p型不純物を含む第1のIII族窒化物半導体層の表面に形成されている層を、窒素元素を含まないガスでエッチングすることによって、第1のIII族窒化物半導体層の表面の少なくとも一部を露出させる工程と、 n型不純物を含むか又はi型の第2のIII族窒化物半導体層の表面に形成されている層を、窒素元素を含まないガスでエッチングすることによって、第2のIII族窒化物半導体層の表面の少なくとも一部を露出させる工程と、第2のIII族窒化物半導体層の露出表面には窒素を供給せず、第1のIII族窒化物半導体層の露出表面に窒素を供給する選択的供給工程と、を備えていることを特徴とするIII族窒化物半導体装置の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 29/80 , H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 21/28 , H01L 29/417 , H01L 21/306

FI (5件)：

H01L29/80 V , H01L29/80 H , H01L21/28 301B , H01L29/50 M , H01L21/302 104Z

Fターム (27件)：

4M104AA04 , 4M104AA07 , 4M104BB05 , 4M104BB14 , 4M104DD22 , 4M104DD34 , 4M104FF13 , 4M104GG08 , 4M104HH15 , 5F004BA04 , 5F004DA25 , 5F004DB12 , 5F004EB02 , 5F102FA03 , 5F102GB04 , 5F102GC07 , 5F102GD10 , 5F102GJ04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GQ10 , 5F102HC01 , 5F102HC02 , 5F102HC07 , 5F102HC15 , 5F102HC21

引用特許：

出願人引用 (1件)

III族窒化物半導体を有する半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-003368 出願人：株式会社豊田中央研究所

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