特許
J-GLOBAL ID：200903005272910836

III族窒化物半導体を有する半導体素子

発明者：
加地 徹

加地 徹 について

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中野 由崇

中野 由崇 について

, 
上杉 勉

上杉 勉 について


出願人/特許権者：
株式会社豊田中央研究所

株式会社豊田中央研究所 について


代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-003368
公開番号（公開出願番号）：特開2004-260140
出願日： 2004年01月08日
公開日（公表日）： 2004年09月16日
要約：
【課題】 III族窒化物半導体を有する半導体素子の耐圧を高くすること。【解決手段】 半導体素子は、AlGaNで構成された第1層32と、GaNで構成された第2層42と、ゲート電極34と、ソース電極38と、ドレイン電極28を有する。第1層32は、ゲート電極34と第2層42の間に形成された領域32aを有する。第1層32と第2層42の境界部24付近にチャネルが形成される。第2層42の導電型はp型であり、p型不純物であるMgがドーピングされている。第2層42は、ソース電極38に接している。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
III族窒化物半導体で構成された第1層と、III族窒化物半導体で構成された第2層と、ゲート電極を有し、 第1層は、ゲート電極と第2層の間に形成された領域を有し、 (1)第1層、(2)第2層、(3)第1層と第2層の間の領域の少なくともいずれかにチャネルが形成され、 第2層の導電型は、チャネルを流れるキャリアの導電型と逆の導電型である半導体素子。
IPC (1件)：
H01L29/78
FI (4件)：
H01L29/78 301B ,  H01L29/78 652E ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 653A
Fターム (24件)：
5F140AA25 ,  5F140AA30 ,  5F140AC23 ,  5F140BA00 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BA16 ,  5F140BB06 ,  5F140BB19 ,  5F140BC12 ,  5F140BD04 ,  5F140BE09 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05 ,  5F140BH21 ,  5F140BH30 ,  5F140BH43 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK29 ,  5F140BK38
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (9件)
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