特許
J-GLOBAL ID：200903038644134531

化合物半導体成膜装置

発明者：
久米 智之

久米 智之 について


出願人/特許権者：
本田技研工業株式会社

本田技研工業株式会社 について


代理人 (1件)： 鳥井 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-287741
公開番号（公開出願番号）：特開2002-064108
出願日： 2000年08月17日
公開日（公表日）： 2002年02月28日
要約：
【要約】【目的】 スパッタ法により、短時間で高品質なCIGS系による化合物半導体を成膜させることができるようにする。【構成】 真空槽内に配設されたターゲットに直流電力を供給して、スパッタリングによりその真空槽内に設けられた基材の表面にCIGS系の化合物半導体を成膜する装置にあって、その化合物半導体を生成するための複数種のSe化合物からなるターゲットを複数設けるとともに、各ターゲットへの供給電力を段階的に制御する電力供給制御手段を設ける。
請求項（抜粋）：
真空槽内に配設されたターゲットに直流電力を供給して、スパッタリングによりその真空槽内に設けられた基材の表面にCIGS系の化合物半導体を成膜する装置であって、その化合物半導体を生成するための複数種のSe化合物からなるターゲットを複数設けるとともに、各ターゲットへの供給電力を段階的に制御する電力供給制御手段を設けたことを特徴とする化合物半導体成膜装置。
IPC (4件)：
H01L 21/363 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/34 ,  H01L 31/04
FI (4件)：
H01L 21/363 ,  C23C 14/06 G ,  C23C 14/34 U ,  H01L 31/04 E
Fターム (23件)：
4K029BA41 ,  4K029BD00 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC16 ,  4K029DC34 ,  4K029EA09 ,  5F051AA10 ,  5F051BA14 ,  5F051CB15 ,  5F051CB29 ,  5F051DA03 ,  5F051FA02 ,  5F051GA03 ,  5F051HA03 ,  5F103AA08 ,  5F103BB18 ,  5F103BB22 ,  5F103BB23 ,  5F103BB38 ,  5F103BB57 ,  5F103LL04 ,  5F103RR05
引用特許：
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM