特許
J-GLOBAL ID：200903038652642309
半導体装置,半導体装置の製造方法及び、半導体装置の検査方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大西 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-016846
公開番号（公開出願番号）：特開2004-120001
出願日： 2004年01月26日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：
【目的】 外観検査が容易な半導体装置を提供すること。 【解決手段】 半導体装置101は、半導体基板103を有する。半導体基板103の裏面105の周辺領域には段差部107が設けられている。この段差部107は、外観検査装置で使用されるレーザー光線を乱反射させる作用を果たす。従って、裏面が鏡面状態である半導体装置101が実装基板に搭載された場合であっても、半導体装置101で反射されるレーザー光線の強度と、実装基板で反射されるレーザー光線の強度との差異が強調され、外観検査を容易に実行することができる。 【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
回路素子が形成された第1の主表面と、前記第1の主表面に実質的に対向する第2の主表面と、前記第1の主表面と前記第2の主表面との間の複数の側面とを有する半導体基板と、
前記第1の主表面上部に形成され、前記回路素子と電気的に接続された複数の外部端子と、
前記第1の主表面上に設けられ、各々が前記半導体基板の側面の対応する1つとで平坦な面を形成する複数の側面を有した封止樹脂とを備え、
前記第2の主表面及び前記複数側面が該封止樹脂から露出してなる半導体装置であって、
前記第2の主表面は、鏡面状態に加工された部分を有する中央領域及び前記中央領域を囲む周辺領域を有し、前記周辺領域には、ダイシングブレードの厚さにて形成された第1の段差部を設けることにより、前記周辺領域に形成された第1の段差部の表面の粗さを前記中央領域における第2の主表面の粗さより粗くしたことを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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