特許
J-GLOBAL ID：200903038670390198
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-004004
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204524
出願日： 1998年01月12日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：
【要約】【課題】 導電率及びエレクトロマイグレーション耐性に優れた埋め込み配線を有する信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体基板101の上に堆積された層間絶縁膜102にコンタクトホール103及び配線用凹状溝104を形成した後、コンタクトホール103及び配線用凹状溝104の壁面に拡散防止膜となるTiN/Ti膜105を形成する。TiN/Ti膜105の上にスパッタ法によりCuにAgが含有された銅合金膜106を堆積した後、該銅合金膜106の上にCVD法又はメッキ法により銅膜107を堆積する。熱処理により銅合金膜106に含まれるAgを銅膜107に拡散させてCuにAgが含有されてなる銅合金膜を形成した後、該銅合金膜に対してCMP法を行なって、CuにAgが含有されてなる銅合金膜よりなるコンタクト及び埋め込み配線を同時に形成する。
請求項（抜粋）：
埋め込み配線を有する半導体装置であって、前記埋め込み配線は、CuにAg、Nb又はAl2O3が含有された銅合金よりなることを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 21/88 M
, H01L 21/88 R
