特許
J-GLOBAL ID：200903038728795240

単結晶膜の製造方法

発明者：
今枝 美能留

今枝 美能留 について

, 
吉野 隆史

吉野 隆史 について


出願人/特許権者：
日本碍子株式会社

日本碍子株式会社 について


代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-145613
公開番号（公開出願番号）：特開平11-335199
出願日： 1998年05月27日
公開日（公表日）： 1999年12月07日
要約：
【要約】【課題】ニオブ酸リチウムカリウム(KLN)単結晶またはニオブ酸リチウムカリウム-タンタル酸リチウムカリウム固溶体(KLNT)単結晶膜を育成する方法において、光挿入損失の少ない単結晶膜が得られるようにする。【解決手段】前記単結晶膜用の材料からなるターゲット11に対してレーザー光を照射し、ターゲット11中の分子を乖離および蒸発させてガス状にし、KLNT単結晶またはKLN単結晶からなる下地10上に、単結晶膜をエピタキシャル成長させる。好ましくは、下地10が単結晶基板からなり、この単結晶基板をマイクロ引き下げ法によって作製し、ターゲット11を構成する材料が、KLNTまたはKLNの単結晶からなるか、あるいはこれらの焼結体からなる。
請求項（抜粋）：
ニオブ酸リチウムカリウム-タンタル酸リチウムカリウム固溶体単結晶またはニオブ酸リチウムカリウム単結晶からなる単結晶膜を製造する方法であって、前記単結晶膜用の材料からなるターゲットに対してレーザー光を照射し、前記ターゲット中の分子を乖離および蒸発させてガス状にし、ニオブ酸リチウムカリウム-タンタル酸リチウムカリウム固溶体単結晶またはニオブ酸リチウムカリウム単結晶からなる下地上に前記単結晶膜をエピタキシャル成長させることを特徴とする、単結晶膜の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 29/30 ,  C30B 25/02 ,  H01L 21/20
FI (4件)：
C30B 29/30 ,  C30B 29/30 C ,  C30B 25/02 ,  H01L 21/20
引用特許：
審査官引用 (4件)
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