特許
J-GLOBAL ID：200903038736165824
シリコン系絶縁膜の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 文廣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-347447
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189582
出願日： 1996年12月26日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：
【要約】【課題】シリコン系絶縁膜の製造方法に関し,水素を含まないシリコン系絶縁膜を容易に製造することを目的とする。【解決手段】 反応容器中に水素を含まないシリコン系原料と第三種アミンの気体を導入して反応させ水素を含まないシリコン系絶縁膜を基板上に堆積する。
請求項（抜粋）：
反応容器中に水素を含まないシリコン系原料と第三種アミンの気体を導入して反応させ水素を含まないシリコン系絶縁膜を基板上に堆積するシリコン系絶縁膜の製造方法。
引用特許：
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