特許
J-GLOBAL ID:200903038764695910

半導体発光装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 清水 敬一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-129581
公開番号(公開出願番号):特開2001-313417
出願日: 2000年04月28日
公開日(公表日): 2001年11月09日
要約:
【要約】【課題】 半導体発光装置の演色性を改善する。【解決手段】 窒化物系化合物半導体から成る発光層(4g)を有する発光素子(4)と、発光波長変換部材(9)とを備えた半導体発光装置(1)において、発光波長変換部材(9)は、発光素子(4)からの発光の少なくとも一部を吸収して発光素子(4)からの発光波長より長い波長の光を発生するR3M5O12:Ce、Prの一般式で表される蛍光体である。一般式中、Rはイットリウム(Y)及びガドリニウム(Gd)のうちの少なくとも1元素、Mはアルミニウム(Al)及びガリウム(Ga)のうちの少なくとも1元素であるため、赤色系発光となる波長成分の新たな発光ピーク及び十分な輝度が得られ、演色性が向上する。
請求項(抜粋):
窒化物系化合物半導体から成る発光層を有する発光素子と、発光波長変換部材とを備えた半導体発光装置において、前記発光波長変換部材は、前記発光素子からの発光の少なくとも一部を吸収して前記発光素子からの発光波長より長い波長の光を発生するR3M5O12:Ce、Prの一般式で表される蛍光体であり、Rはイットリウム(Y)及びガドリニウム(Gd)のうちの少なくとも1元素、Mはアルミニウム(Al)及びガリウム(Ga)のうちの少なくとも1元素であることを特徴とする半導体発光装置。
FI (2件):
H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 N
Fターム (5件):
5F041AA11 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041DA42 ,  5F041EE25
引用特許:
審査官引用 (5件)
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