特許
J-GLOBAL ID：200903038770504999

窒化物半導体発光装置

発明者：
薄田 学

薄田 学 について

, 
上田 哲三

上田 哲三 について

, 
折田 賢児

折田 賢児 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (11件)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-015303
公開番号（公開出願番号）：特開2008-182110
出願日： 2007年01月25日
公開日（公表日）： 2008年08月07日
要約：
【課題】基板にシリコンを用いた窒化物半導体発光装置の高輝度化を実現できるようにする。【解決手段】窒化物半導体発光装置は、シリコンからなる基板1と、該基板1の上に形成された絶縁膜2と、該絶縁膜2の上に形成された単結晶薄膜3と、該単結晶薄膜3の上に形成され、窒化物半導体からなるMQW活性層7を含む半導体積層体30とを有している。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
シリコンからなる基板と、 前記基板の上に形成された絶縁膜と、 前記絶縁膜の上に形成された単結晶薄膜と、 前記単結晶薄膜の上に形成され、窒化物半導体からなる発光層を含む半導体積層体とを備えていることを特徴とする窒化物半導体発光装置。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 C
Fターム (12件)：
5F041AA04 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA83 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CB15 ,  5F041CB36
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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