特許

J-GLOBAL ID：200903040702262930

窒化ガリウム結晶の製造方法

発明者： 油利 正昭 ,  上田 哲三 ,  馬場 孝明
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-090674
公開番号（公開出願番号）：特開平10-287497
出願日： 1997年04月09日
公開日（公表日）： 1998年10月27日
要約：

【要約】【課題】 結晶性に優れた窒化ガリウム厚膜結晶を提供する。【解決手段】 シリコン基板1上に、非晶質の二酸化ケイ素薄膜2を形成し、その後、この二酸化ケイ素薄膜2上に、単結晶のシリコン薄膜3を形成し、さらにこのシリコン薄膜3上に窒化ガリウム4を形成する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に非晶質二酸化ケイ素薄膜及び前記二酸化ケイ素薄膜上に単結晶シリコン薄膜を形成した後に、前記シリコン薄膜上に窒化ガリウムを形成することを特徴とする窒化ガリウム結晶の製造方法。

IPC (4件)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/12 ,  H01S 3/18

FI (4件)：

C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18 ,  H01L 29/14