特許

J-GLOBAL ID：200903038775106282

強誘電体薄膜の製造方法およびこれを用いた強誘電体メモリの製造方法

発明者： 藤森 敬和
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 小栗 昌平 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-246070
公開番号（公開出願番号）：特開2003-060168
出願日： 2001年08月14日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：

【要約】【課題】 均一で結晶性の良好な強誘電体薄膜を提供する。【解決手段】 強誘電体薄膜の形成に先立ち、下地を構成する基板表面に、前記強誘電体薄膜の構成元素を含む超微粒粉を含むシード層を形成し、このシード層の上層に、強誘電体薄膜を形成し、このシード層を核として結晶化を行うようにしたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

強誘電体薄膜の形成に先立ち、下地を構成する基板表面に、前記強誘電体薄膜の構成元素を含む超微粒粉を含むシード層を形成する工程と、前記シード層の上層に、前記強誘電体薄膜を形成する工程とを含むことを特徴とする強誘電体薄膜の形成方法。

IPC (6件)：

H01L 27/105 ,  C23C 14/58 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (5件)：

C23C 14/58 A ,  H01L 21/316 G ,  H01L 27/10 444 B ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 444 A

Fターム (30件)：

4K029AA06 ,  4K029BA50 ,  4K029BC09 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029FA07 ,  4K029GA01 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BE10 ,  5F058BF12 ,  5F058BF46 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ04 ,  5F083FR02 ,  5F083FR07 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA43 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5F101BA62 ,  5F101BD02 ,  5F101BD37 ,  5F101BH01 ,  5F101BH16

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 強誘電体薄膜およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-001281   出願人：沖電気工業株式会社
• 強誘電体薄膜の製造方法、電子デバイス、および絶縁体用液体原料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-222230   出願人：三菱電機株式会社
• 強誘電体記憶素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-133965   出願人：ローム株式会社