特許
J-GLOBAL ID：200903070493360322
強誘電体薄膜およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-001281
公開番号（公開出願番号）：特開平11-195765
出願日： 1998年01月07日
公開日（公表日）： 1999年07月21日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 膜の膜厚方向に粒界のない緻密な強誘電体薄膜。【解決手段】 焼成済みの積層体10を以て構成されていて、この積層体は、Biシード層11と、このBiシード層11と接して設けられているBi含有強誘電体層13とを含む。Bi含有強誘導体層13は、焼成することによってBiシード層11と接している側から結晶化が進んでいく。このため、焼成済みの積層体10は、膜厚方向に単結晶となる。これにより強誘導体薄膜は、膜厚方向に粒界がなく緻密な膜として得られる。
請求項（抜粋）：
焼成済みの積層体を以て構成されていて、該積層体は、Biシード層と、該Biシード層と接して設けられているBi含有強誘電体層とを含むことを特徴とする強誘電体薄膜。
IPC (8件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
, C01G 29/00
, H01B 3/12 318
, H01L 27/10 451
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/10 651
, C01G 29/00
, H01B 3/12 318 G
, H01L 27/10 451
, H01L 29/78 371
