半導体メモリ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-168777
公開番号（公開出願番号）：特開平6-012861
出願日： 1992年06月26日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：

【要約】【目的】チップサイズを増大させることなく、ビット線の持つ容量を減らして、センスアンプのセンス動作で消費される消費電力を減少させる。【構成】ビット線BL1と/BL1、BL2と/BL2、BL3と/BL3、BL4と/BL4はそれぞれゲートがセンスアンプ分割信号SS1またはSS2に接続されたNチャネル型MOSトランジスタQを介して、センスアンプSA1、SA2、SA3、SA4に接続されている。センスアンプSA1、SA3に接続されているビット線BL1、/BL1、BL3、/BL3は、ゲートがビット線分割信号BS1に接続されたNチャネル型MOSトランジスタQで電気的に分割できる。

請求項（抜粋）：

ビット線とワード線が格子状に構成され、その交点に配置されたメモリセルと、前記ビット線の一端にセンスアンプが接続され、前記ビット線を電気的に複数のビット線部分に分割する複数のMOSトランジスタを有することを特徴とする半導体メモリ装置。

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-176087
特開平1-138688
半導体メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-242222 出願人：日本電気株式会社

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