特許
J-GLOBAL ID：200903038792623908

半導体デバイスチップウエハ検査方法および検査装置

発明者：
水上 浩孝

水上 浩孝 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (3件)： 宮崎 昭夫 ,  伊藤 克博 ,  石橋 政幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-039863
公開番号（公開出願番号）：特開2005-235839
出願日： 2004年02月17日
公開日（公表日）： 2005年09月02日
要約：
【課題】半導体レーザダイオードデバイスの内部の結晶欠陥を効率的に検査する。【解決手段】 半導体レーザダイオードデバイスが集積されたウエハ1を試料台10上に載置し、このウエハ1にレーザ光走査装置20によってレーザ光を照射し、照射位置を高速で変化させ、すなわち高速走査を実行する。走査時に、ウエハ1に発生する熱起電力電流を起電力電流増幅/検出部32によって測定し、不良アドレス判定部36によって、所定のしきい値を超える熱起電力電流が発生した時の、レーザ光の照射位置を判定し、その位置を不良アドレス情報として不良アドレス記憶部37に記憶する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体デバイスのチップが集積されたウエハに量子ビームを照射し、照射位置を変化させつつ、前記ウエハに発生する熱起電力を検出する工程と、 測定した熱起電力電流または熱起電力電圧がしきい値を超えているか否かを判定し、しきい値を超える熱起電力電流または熱起電力電圧が発生した時の、前記量子ビームの前記ウエハ上への照射位置を不良アドレス情報として記憶する工程とを有する半導体デバイスウエハ検査方法。
IPC (2件)：
H01L21/66 ,  G01N27/00
FI (2件)：
H01L21/66 C ,  G01N27/00 Z
Fターム (17件)：
2G060AA09 ,  2G060AE01 ,  2G060AF01 ,  2G060EA07 ,  2G060EB08 ,  2G060HC13 ,  2G060KA16 ,  4M106AA01 ,  4M106AA02 ,  4M106BA05 ,  4M106CA03 ,  4M106CA04 ,  4M106CB19 ,  4M106DE09 ,  4M106DE20 ,  4M106DH32 ,  4M106DJ21
引用特許：
審査官引用 (3件)

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