特許

J-GLOBAL ID：200903038797892079

トリプルダマシン形成及びクワドラプルダマシン製造技術

発明者： パリク, スケツ, エー.
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-575159
公開番号（公開出願番号）：特表2002-527888
出願日： 1999年09月23日
公開日（公表日）： 2002年08月27日
要約：

【要約】本発明は、集積回路形成方法とデバイスを提供する。2つのエッチングシーケンスを用いて、5つの連続する誘電層(312、314、316、318、320)にトリプルダマシン構造体を形成する。第1のエッチングシーケンスは、第1のエッチマスク層(322)を第5の(トップ)層(320)に堆積し、パワーライントレンチパターン(324)とビアパターン(326)を第1のマスク層に形成し、トップの3つの誘電層(316、318、320)を通して、パワーライントレンチパターン(324)とビアパターン(326)を同時にエッチングし、第1のエッチマスク層を除去することを含む。第2のエッチングシーケンスは、第5の層(320)上で、かつ、第1のエッチングシーケンスで形成されたパワーライントレンチ(325)内に第2のエッチマスク層(330)を堆積させ、ビアパターン(327)に重なる信号ラインパターン(332)を第2のエッチ層に形成し、第2の層(312)を通してビアパターン(327)をエッチングし、第1の層(312)を通してビアパターン(327)をエッチングすると同時に、第5の層(320)を通して信号ライントレンチパターン(332)をエッチングすることを含む。

請求項（抜粋）：

構造体を基板上に形成する方法であって、 a)第1の誘電層を基板上に堆積するステップと、 b)第2の誘電層を前記第1の誘電層上に堆積するステップであって、前記第1と第2の誘電層とは異なるエッチング特性を有する、ステップと、 c)第3の誘電層を前記第2の誘電層上に堆積するステップと、 d)第4の誘電層を前記第3の誘電層上に堆積するステップであって、前記第1と第4の誘電層とは異なるエッチング特性を有する、ステップと、 e)第5の誘電層を前記第4の誘電層上に堆積するステップであって、前記第5の誘電層は前記第2と第4の誘電層とは異なるエッチング特性を有し、前記第1と第5の誘電層は同様のエッチング特性を有する、ステップと、 f)前記第5、第4、第3の誘電層を通してパワーライントレンチとビアパターンを第1のエッチングシーケンスで同時に異方性エッチングするステップと、 g)第2のエッチングシーケンスで、前記第5の誘電層を通して、前記ビアパターンを覆う信号ライントレンチを異方性エッチングし、前記ビアパターンを前記基板まで異方性エッチングすることによって、前記信号ライントレンチから前記基板まで延びる第1のビアホールを形成するステップであって、下にビアホールを含む前記パワーライントレンチと前記信号トレンチは、トリプルダマシン構造体を形成するために調整される、ステップと を含む方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/28 M ,  H01L 21/88 K ,  H01L 21/90 A ,  H01L 21/90 C

Fターム (69件)：

4M104CC01 ,  4M104DD08 ,  4M104DD16 ,  4M104DD19 ,  4M104DD20 ,  4M104EE12 ,  4M104EE14 ,  4M104EE15 ,  4M104EE18 ,  5F033GG01 ,  5F033GG02 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH14 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033HH40 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ09 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ12 ,  5F033JJ14 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033JJ40 ,  5F033KK00 ,  5F033KK01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM08 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN40 ,  5F033PP06 ,  5F033PP14 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ38 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR09 ,  5F033RR11 ,  5F033RR21 ,  5F033SS15 ,  5F033SS21 ,  5F033VV04 ,  5F033XX34

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-075573   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-139999   出願人：日本電気株式会社