特許
J-GLOBAL ID:200903038798274093

硫酸還元細菌の培養方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 村瀬 一美
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-022646
公開番号(公開出願番号):特開2009-178145
出願日: 2008年02月01日
公開日(公表日): 2009年08月13日
要約:
【課題】硫酸還元細菌の増殖を促進する。雑多な微生物群が競合している環境下において、硫酸還元細菌を優先的に増殖させる。【解決手段】硫酸還元細菌と硫酸イオンとを含む培養液に電極を浸漬し、この電極に電位を印加して培養液の酸化還元電位を銀・塩化銀電極に対して-0.6V以下に制御しながら嫌気条件下で硫酸還元細菌を培養するようにした。【選択図】図10
請求項(抜粋):
硫酸還元細菌と硫酸イオンとを含む培養液に電極を浸漬し、この電極に電位を印加して前記培養液の酸化還元電位を銀・塩化銀電極に対して-0.6V以下に制御しながら嫌気条件下で前記硫酸還元細菌を培養することを特徴とする硫酸還元細菌の培養方法。
IPC (5件):
C12N 1/20 ,  C12N 15/09 ,  C02F 1/62 ,  C02F 3/00 ,  C02F 3/34
FI (9件):
C12N1/20 A ,  C12N1/20 D ,  C12N15/00 A ,  C02F1/62 Z ,  C02F3/00 G ,  C02F3/34 Z ,  C02F1/62 C ,  C02F1/62 D ,  C02F1/62 E
Fターム (26件):
4B024AA11 ,  4B024AA17 ,  4B024CA20 ,  4B024HA14 ,  4B065AA01X ,  4B065AC20 ,  4B065BB02 ,  4B065BC50 ,  4B065CA56 ,  4D038AA08 ,  4D038AB66 ,  4D038AB67 ,  4D038AB68 ,  4D038AB69 ,  4D038AB70 ,  4D038AB71 ,  4D038AB72 ,  4D038AB73 ,  4D038AB74 ,  4D038AB76 ,  4D038AB80 ,  4D038BA02 ,  4D038BA06 ,  4D038BB09 ,  4D038BB15 ,  4D040DD03
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (2件)
引用文献:
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