特許
J-GLOBAL ID：200903038808887269

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法

発明者：
幡 俊雄

幡 俊雄 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-038198
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242516
出願日： 1997年02月21日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：
【要約】【課題】 信頼性を向上でき、かつ外部発光効率を向上できる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 P型ボンディング用電極2bの下にショットキー電極2aを形成し、P型ボンディング用電極直下での電流注入を阻止する。このため、P型ボンディング用電極2bの周辺部の透光性電極(オーミック電極)1での電流密度と発光密度が高くなるので、外部発光効率が良好になる。
請求項（抜粋）：
基板上にN型窒化ガリウム系化合物半導体層及びP型窒化ガリウム系化合物半導体層が積層され、該P型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面を発光透光面とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、該P型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面にP型ボンディング用電極と透光性電極が形成され、該P型窒化ガリウム系化合物半導体層の該P型ボンディング用電極の直下の領域に電流が注入されるのを阻止する一方、該透光性電極と該P型窒化ガリウム系化合物半導体層がオーミックコンタクトしている領域のみに電流が注入される構造とした窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01S 3/18
FI (3件)：
H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18
引用特許：
審査官引用 (5件)
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