半導体パワーモジュール、半導体パワーモジュールに用いる絶縁基板及び該絶縁基板の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-011195
公開番号（公開出願番号）：特開2003-218318
出願日： 2002年01月21日
公開日（公表日）： 2003年07月31日
要約：

【要約】【課題】放熱性の高い絶縁基板を備えた半導体パワーモジュールを提供する。【解決手段】本発明に係る半導体パワーモジュールにおいて、放熱板4上に絶縁基板8が配置される。絶縁基板8上には、回路パターン10、14が接合されている。これら回路パターン10、14の間には、電気抵抗値の温度依存性がない材料からなるシート状の抵抗体32が絶縁基板8に接合されている。抵抗体32と回路パターン10、14とは、ボンディングワイヤ18、18gを介して電気的に接続されている。抵抗体32が絶縁基板8に接触しているので、抵抗体32で発生した熱が放熱板4に伝達する。

請求項（抜粋）：