特許
J-GLOBAL ID:200903038861371010
光増感型太陽光発電素子
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
外川 英明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-087749
公開番号(公開出願番号):特開2000-285974
出願日: 1999年03月30日
公開日(公表日): 2000年10月13日
要約:
【要約】【課題】電荷輸送層と透明電極間の電気回路の短絡を防止し、また透明導電膜とn型半導体電極間の剥離を防止して長期信頼性を向上させた光増感型太陽光発電素子を提供する事を課題とする。【解決手段】光増感型太陽光発電素子のn型半導体電極の構造を膜厚0.01μm以上0.6 μm以下の緻密な部分と多孔部分の積層に規定する。
請求項(抜粋):
光受光面を有する第1の基板と、この第1の基板の前記光受光面と対向する面に形成された透明導電膜と、この透明導電膜表面に形成され色素を吸着したn型半導体電極と、このn型半導体電極に隣接して形成された電荷輸送層と、前記第1の基板と対向する側で且つ前記電荷輸送層を介して形成され表面に導電膜を有する第2の基板とを具備する光増感型太陽光発電素子において、前記n型半導体電極は厚さ0.01μm以上0.6 μm以下の緻密な部分と多孔部分の積層構造であることを特徴とする光増感型太陽光発電素子。
IPC (2件):
FI (2件):
H01M 14/00 P
, H01L 31/04 Z
Fターム (9件):
5F051AA14
, 5H032AA06
, 5H032AS16
, 5H032EE02
, 5H032EE07
, 5H032EE16
, 5H032EE18
, 5H032HH02
, 5H032HH04
引用特許:
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