特許
J-GLOBAL ID：200903038864524470
化合物半導体層を有する半導体基板とその作製方法及び該半導体基板に作製された電子デバイス
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-065306
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321535
出願日： 1998年03月16日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：
【要約】【課題】 結晶欠陥の少ない単結晶化合物半導体膜を大面積なシリコン基板上に、高生産性、高均一性、高制御性、経済的に作製可能な半導体基板の作製方法およびそれによる半導体基板、該基板に作製した半導体素子を提供する。【解決手段】 多孔質領域11の封止された孔12を有する表面13上に、単結晶の化合物からなる半導体層14を有する半導体基板。また、多孔質領域11を有するSi基板10を、該多孔質領域の表面の孔12を封止する為に、熱処理する工程(b)と、該熱処理により封止された孔12を有する多孔質領域上に単結晶の化合物半導体層14を、ヘテロエピタキシャル成長させる工程(c)と、を有することを特徴とする半導体基板の作製方法。
請求項（抜粋）：
多孔質領域を有するSi基板の該多孔質領域上に半導体層を有する半導体基板において、前記多孔質領域の封止された孔を有する表面上に、単結晶の化合物からなる前記半導体層を有することを特徴とする半導体基板。
IPC (10件)：
H01L 21/205
, C30B 29/68
, H01L 21/02
, H01L 21/203
, H01L 21/3063
, H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 31/04
, H01L 33/00
H01L 21/205
, C30B 29/68
, H01L 21/02 B
, H01L 21/203 M
, H01L 33/00 A
, H01L 21/306 L
, H01L 29/80 H
, H01L 31/04 H
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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