特許
J-GLOBAL ID：200903038889151717
半導体デバイスの製造方法、データ作成装置、データ作成方法、およびプログラム
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
松倉 秀実
, 平川 明
, 高田 大輔
, 遠山 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-229901
公開番号（公開出願番号）：特開2008-053565
出願日： 2006年08月25日
公開日（公表日）： 2008年03月06日
要約：
【課題】光露光で加工される形状に、電子線露光による形状を一致または近似させる。【解決手段】半導体装置の設計データを基に転写マスクに形成されたパターンをパターン形成剤が塗布された基板上に光によって投影したときに形成される光露光パターンの形状1Aを記憶する光露光パターン記憶部と、設計データを基に電子線露光によって基板上に形成される電子線露光パターン2Aの形状を記憶する電子線露光パターン記憶部と、光露光パターンの形状と電子線露光パターンの形状とから形状の相異部分を示す差分情報S6を抽出する差分抽出部と、差分情報にしたがって光露光パターンを模擬した形状に設計データを形状変化S8させるデータ修正部とを備える。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
半導体装置の設計データを基に基板上に形成される光露光パターンの形状を模擬する模擬光パターンを取得する模擬光パターン取得ステップと、
前記設計データを基に電子線露光によって前記基板上に形成される電子線露光パターンの形状を模擬する模擬電子線露光パターンを取得する模擬電子線露光パターン取得ステップと、
前記模擬光パターン取得ステップによって得られた前記模擬光パターンと模擬電子線露光パターン取得ステップによって得られた前記模擬電子線露光パターンとの、形状の相異部分を示す差分情報を抽出する差分抽出ステップと、
前記差分情報にしたがって、前記設計データを形状変化させ、形状変化設計データを取得する形状変化設計データ取得ステップと、を含むデータ作成工程と、
前記形状変化設計データを用いて、基板上に電子線露光を行う工程と、を有する半導体デバイスの製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L21/30 541J
, G03F7/20 521
, H01L21/30 502G
5F046AA28
, 5F046DD06
, 5F056CA11
