特許

J-GLOBAL ID：200903038985205488

窒化物半導体薄膜を有するSi基板の製造方法。

発明者： 安井 寛治 ,  高橋 和希 ,  黒木 雄一郎 ,  高田 雅介
出願人/特許権者： 国立大学法人長岡技術科学大学
代理人 (1件)： 芳村 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-231494
公開番号（公開出願番号）：特開2008-056499
出願日： 2006年08月29日
公開日（公表日）： 2008年03月13日
要約：

【課題】Si単結晶基板上に、結晶性や配向性が良好で、電気的特性や光学的特性等に優れたGaN薄膜を、低コストで効率良く製造することが可能なSi基板の製造方法を提供する。【解決手段】化学気相成長法によりSi基板12上にSiC層及びAlN層を順次形成した後に、AlN層上にGaN結晶を成長させる際に、加熱したメッシュ状タングステン触媒14にアンモニアガスを吹付けて窒素系ラジカルを生成させ、AlN層上で有機ガリウム化合物と反応させてGaN結晶を成長させることにより窒化物半導体薄膜を有するSi基板12を製造する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

化学気相成長法によりSi基板上にSiC層及びAlN層を順次形成した後に、前記AlN層上にGaN結晶を成長させる際に、加熱したメッシュ状タングステン触媒にアンモニアガスを吹付けて窒素系ラジカルを生成させ、前記AlN層上で有機ガリウム化合物と反応させてGaN結晶を成長させることを特徴とする窒化物半導体薄膜を有するSi基板の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/38 ,  C23C 16/34

FI (2件)：

C30B29/38 D ,  C23C16/34

Fターム (32件)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077DB15 ,  4G077EA02 ,  4G077EA06 ,  4G077ED06 ,  4G077EF02 ,  4G077EF03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TB05 ,  4G077TC01 ,  4G077TC06 ,  4G077TC14 ,  4G077TK01 ,  4G077TK08 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030CA04 ,  4K030DA02 ,  4K030FA10 ,  4K030FA14 ,  4K030JA03 ,  4K030JA10 ,  4K030JA11 ,  4K030LA14

引用特許：

出願人引用 (1件)

• ホットワイヤCVD法による窒化物半導体膜のエピタキシャル成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-262066   出願人：科学技術振興事業団