特許
J-GLOBAL ID：200903038992751064
石英ガラス基板の表面処理方法及び水素ラジカルエッチング装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
石原 詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-276811
公開番号（公開出願番号）：特開2008-094649
出願日： 2006年10月10日
公開日（公表日）： 2008年04月24日
要約：
【課題】 本発明は、LSI分野の極端紫外線(EUV)を用いたリソグラフィ反射マスク基板などに対する要望に応えることができるようにした高平坦度(サブナノメータレベル)石英ガラス基板を得ることができるようにした石英ガラス基板の表面処理方法及びその処理方法に好適に用いられる水素ラジカルエッチング装置を提供する。【解決手段】 石英ガラス基板の表面平坦度を制御する方法であって、石英ガラス基板を水素ラジカルエッチング装置内に載置し、前記石英ガラス基板に水素ラジカルを作用させて表面平坦度をサブナノメータレベルで制御できるようにした。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
石英ガラス基板の表面平坦度を制御する方法であって、石英ガラス基板を水素ラジカルエッチング装置内に載置し、前記石英ガラス基板に水素ラジカルを作用させて表面平坦度をサブナノメータレベルで制御することができるようにしたことを特徴とする石英ガラス基板の表面処理方法。
IPC (4件)：
C03C 15/00
, G03F 1/08
, H01L 21/027
, C03B 20/00
C03C15/00 A
, G03F1/08 Z
, H01L21/30 502P
, H01L21/30 531M
, C03B20/00 K
2H095BA10
, 2H095BB27
, 2H095BC28
, 4G014AH00
, 4G059AA11
, 4G059AC03
, 4G059BB01
, 4G059BB12
, 5F046GD13
, 5F046GD20
