薄膜形成装置及び方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：吉田研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-149373
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340508
出願日： 1999年05月28日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】多結晶シリコン等の薄膜の成膜速度を向上させ、また、結晶粒径を増大させる。【解決手段】アルゴンガスなどの不活性ガスを流入口11aから導入し、初期プラズマ領域5でプラズマ化して電子ビームを取り出す。電子ビームを加速領域6で加速し、プラズマ生成領域7に照射する。シランガスなどの原料ガスを流入口11bから導入し、電子ビームによりプラズマ化してラジカルやイオンを形成する。基板4の前に磁気フィルタ10を配置し、イオンを阻害してラジカルだけが基板4に到達するようにする。また、ラジカルガイド14を設けて成膜速度を向上する。イオンによる薄膜の損傷が防止され、結晶粒径が増大する。

請求項（抜粋）：

原料ガスをプラズマ化して基板上に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、前記原料ガスをプラズマ化するプラズマ形成領域と、前記プラズマ形成領域から飛来する荷電粒子の前記基板への到達量を抑制する抑制手段と、を有することを特徴とする薄膜形成装置。

Fターム (9件)：

5F045AA08 , 5F045AA14 , 5F045AB03 , 5F045AC01 , 5F045BB12 , 5F045DP03 , 5F045EB02 , 5F045EH16 , 5F045EH18

引用特許：

審査官引用 (9件)

プラズマエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-196055 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
特開平4-237123
プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-166107 出願人：三菱電機株式会社

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