特許
J-GLOBAL ID：200903039057175116
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-005057
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199715
出願日： 1996年01月16日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 トレンチゲート構造を有する、電流検出機能付きMOS型半導体装置において、外部抵抗を用いて電流を検出する際に、寄生抵抗の温度依存性の影響を受けた値が得られていた。【解決手段】 主電流領域のベース領域4aと電流検出領域のベース領域4bの間のドリフト領域が表面に出ている部分14に絶縁膜6を介して電極10を設置することで、電極のフィールドプレート効果により耐圧を維持しつつ、両ベースの間隔を広げる。その結果、寄生抵抗を外部抵抗より十分大きくできる。
請求項（抜粋）：
半導体基板の第1の主面内に形成された第1導電型の第1の領域と、前記第1の領域内の一部に表面より所定の深さに形成された第2導電型の第2の領域と、前記第2の領域内の一部に表面より所定の深さに形成された第1導電型の第3の領域と、前記第2の領域と前記第3の領域を貫いて第1の領域に達する溝の中に絶縁膜を介して形成された第1の制御電極と、前記第2の領域と前記第3の領域に接続された第1の電極とを有するMOS構造をユニットセルとし、前記ユニットセルにより構成される主電流素子と、前記ユニットセルにより構成され、前記第1導電型の第1の領域を共通とし、第2の領域が前記主電流素子の第2の領域と所定間隔離間して配置された検出素子とを備え、前記検出素子領域の第2の領域と前記主電流素子領域の第2の領域との間に位置し、前記半導体基板の第1の主面の全ての面上に、絶縁膜を介して形成された前記第1の制御電極と接続された第2の制御電極を具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L 29/78 652 P
, H01L 21/66 V
, H01L 29/78 652 L
, H01L 29/78 657 F
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (7件)
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