特許
J-GLOBAL ID:200903083634058808

カーボンナノチューブの自己配向性束及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 恩田 博宣 (外1名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-583057
公開番号(公開出願番号):特表2002-530805
出願日: 1999年11月04日
公開日(公表日): 2002年09月17日
要約:
【要約】電界放出デバイス(20)は、基板(22)上に平行に整列されたカーボンナノチューブの束(28)を有する。カーボンナノチューブ(28)は基板(22)に対して垂直方向に指向されている。例えば、カーボンナノチューブ束(28)は、300ミクロンの高さを有する。カーボンナノチューブ(28)は、触媒物質(26)がパターン化された基板(22)の領域からのみ延びる。好ましくは、触媒物質(26)は酸化鉄である。最良の品質、かつ最も良好に整列されたナノチューブを生成するので、基板(22)は多孔質シリコンが好ましい。平滑な非多孔性のシリコンまたは石英も基板として使用され得る。本発明方法は、シリコン基板上に多孔質層を電気化学的エッチングによって形成することにより開始する。その後、鉄の薄層が、多孔質層上において、パターン化された領域上に堆積される。次に、鉄は酸化鉄に酸化され、ついで基板は高温下でエチレン気体に晒される。酸化鉄は温度の束の形成に触媒作用を及ぼす。酸化鉄は、基板表面に対して垂直に成長する、平行に整列したカーボンナノチューブの束の形成に触媒作用を及ぼす。基板上のナノチューブ束の高さは、触媒工程継続時間によって決定される。ナノチューブはパターン化された領域からのみ成長する。
請求項(抜粋):
a)耐熱性材料からなる基板と、 b)基板の表面に堆積された触媒物質と、 c)触媒物質から基板へ垂直方向に延びる平行なカーボンナノチューブの束とを備える電界放出デバイス。
IPC (10件):
H01J 1/304 ,  B01J 23/745 ,  B01J 37/02 301 ,  B01J 37/14 ,  C01B 31/02 101 ,  C23C 14/04 ,  C23C 14/14 ,  H01J 9/02 ,  H01J 29/04 ,  C23C 16/26
FI (10件):
B01J 37/02 301 P ,  B01J 37/14 ,  C01B 31/02 101 F ,  C23C 14/04 A ,  C23C 14/14 D ,  H01J 9/02 B ,  H01J 29/04 ,  C23C 16/26 ,  H01J 1/30 F ,  B01J 23/74 301 M
Fターム (34件):
4G046CA02 ,  4G046CC06 ,  4G046CC08 ,  4G069AA03 ,  4G069AA08 ,  4G069BA17 ,  4G069BA18 ,  4G069BB04A ,  4G069BB04B ,  4G069BC66A ,  4G069BC66B ,  4G069CB81 ,  4G069EA11 ,  4G069EB15X ,  4G069EB15Y ,  4G069FA03 ,  4G069FB01 ,  4G069FB02 ,  4G069FB40 ,  4K029AA06 ,  4K029BA02 ,  4K029CA01 ,  4K029CA03 ,  4K029FA01 ,  4K029GA00 ,  4K029HA01 ,  4K030AA09 ,  4K030AA16 ,  4K030BA27 ,  4K030CA04 ,  4K030CA06 ,  4K030DA02 ,  4K030FA10 ,  5C031DD17
引用特許:
審査官引用 (8件)
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引用文献:
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