特許
J-GLOBAL ID：200903039060289831

半導体レーザ及びその製造方法

発明者：
阿江 敬

阿江 敬 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-347714
公開番号（公開出願番号）：特開平9-167874
出願日： 1995年12月15日
公開日（公表日）： 1997年06月24日
要約：
【要約】【課題】広い温度範囲で低閾値、高出力特性が得られるp型InP基板上埋め込み型半導体レーザの提供。【解決手段】InGaAsPからなるバルクまたは量子井戸構造を選択エッチングにより<011>方向に活性層ストライプを形成し、ストライプの両脇はp型InP埋め込み層16、n型InP電流ブロック層17及びp型InP電流ブロック層18で埋め込むが、その際、n型InP電流ブロック層成長時にターシャリブチルホスフィン(TBP)を用いることにより、活性層近傍でn型InP層17、p型InP層16、18共に電流狭窄に十分な濃度を得ることができ、レーザの温度特性が改善される。
請求項（抜粋）：
有機金属気相成長法により作製されてなるp型InP基板上埋め込み型半導体レーザにおいて、p型InPクラッド層とn型InPクラッド層との間に挟まれてなる、InGaAsPからなるバルクまたは量子井戸構造が、選択エッチングにより<011>方向に活性層ストライプを構成し、前記活性層ストライプの両脇がp型InP埋め込み層、n型InP電流ブロック層、及びp型InP電流ブロック層で埋め込まれ、更に、全体がn型InP埋め込み層で埋め込まれてなることを特徴とする半導体レーザ。
引用特許：
審査官引用 (4件)
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