特許
J-GLOBAL ID:200903039095446832

半導体レ-ザ装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴木 章夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-007673
公開番号(公開出願番号):特開2000-206435
出願日: 1999年01月14日
公開日(公表日): 2000年07月28日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 半導体レーザ(LD)で発光されたレーザ光を内部フォトダイオード(PD)又は外部PDで受光し、その受光出力に基づいてLDの発光強度をフィードバック制御するレーザ装置において、LDに供給する電流の過大となることを防止してLDの劣化を防止する。【解決手段】 LDに供給する電流を制御するための電流制御回路101,102と、内部PD12の受光出力に基づいて電流制御回路の動作を制御する第1の出力制御回路108,111と、外部PD20の受光出力に基づいて前記電流制御回路の動作を制御する第2の出力制御回路109,112と、内部PD12の受光出力と外部PD20の受光出力とに基づいて、いずれか一方のPDの異常を判定する手段113,114と、異常の判定結果に基づいて第1又は第2のいずれか一方の出力制御回路を選択して電流制御回路の制御を行う選択手段110とを備える。
請求項(抜粋):
発光した光をモニタする内部受光素子を有する半導体レーザと、前記半導体レーザで発光した光を受光する外部受光素子と、前記半導体レーザに供給する電流を制御するための電流制御回路と、前記内部受光素子の受光出力に基づいて前記電流制御回路の動作を制御する第1の出力制御回路と、前記外部受光素子の受光出力に基づいて前記電流制御回路の動作を制御する第2の出力制御回路と、前記内部受光素子の受光出力と前記外部受光素子の受光出力とに基づいて、いずれか一方の受光素子の異常を判定する手段と、前記異常の判定結果に基づいて前記第1又は第2のいずれか一方の出力制御回路を選択して前記電流制御回路の制御を行う選択手段と、前記異常の判定結果に基づいて前記半導体レーザへの電流供給を停止する手段とを備えることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (3件):
G02B 26/10 ,  H01S 5/0683 ,  H04N 1/113
FI (3件):
G02B 26/10 Z ,  H01S 3/18 637 ,  H04N 1/04 104 Z
Fターム (21件):
2H045AA01 ,  2H045CA63 ,  2H045CB41 ,  2H045DA41 ,  5C072AA03 ,  5C072BA13 ,  5C072CA06 ,  5C072CA12 ,  5C072CA18 ,  5C072HA02 ,  5C072HA13 ,  5C072RA10 ,  5C072UA11 ,  5C072UA13 ,  5C072UA20 ,  5C072XA04 ,  5F073FA01 ,  5F073GA02 ,  5F073GA12 ,  5F073GA32 ,  5F073GA33
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (7件)
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