特許
J-GLOBAL ID：200903039118995561

光磁気記録方法

発明者：
西村 直樹

西村 直樹 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-188400
公開番号（公開出願番号）：特開平6-124499
出願日： 1993年07月29日
公開日（公表日）： 1994年05月06日
要約：
【要約】【目的】 従来の光学系を用いて記録と同時に記録の確認が行なえる光磁気記録方法の提供。【構成】 室温において、面内磁化膜であると共にキュリー温度の高い第一の磁性層と、室温において垂直磁化膜であると共に第一の磁性層に比べてキュリー温度の低い第二の磁性層とを有してなる光磁気記録媒体を用いて、記録時に、前記第一の磁性層をレーザー光で昇温することにより垂直磁化膜とし前記第二の磁性層と交換結合させると共に所定方向の磁界を印加して情報の記録を行なうと同時に、前記レーザ光の反射光を用いて記録の確認を行う。
請求項（抜粋）：
室温において面内磁化膜であると共にキュリー温度の高い第一の磁性層と、室温において垂直磁化膜であると共に第一の磁性層に比べてキュリー温度の低い第二の磁性層とを有してなる光磁気記録媒体を用いて、記録時に、前記第一の磁性層をレーザー光で昇温することにより垂直磁化膜とし前記第二の磁性層と交換結合させると共に所定方向の磁界を印加して情報の記録を行なうと同時に、前記レーザ光の反射光を用いて記録の確認を行うことを特徴とする光磁気記録方法。
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (1件)

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