特許
J-GLOBAL ID：200903039134710097

半導体素子搭載用基板および光半導体素子収納用パッケージ

発明者：
柳沢 美津夫

柳沢 美津夫 について

, 
和田 久義

和田 久義 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-341349
公開番号（公開出願番号）：特開2001-160598
出願日： 1999年11月30日
公開日（公表日）： 2001年06月12日
要約：
【要約】【課題】絶縁基板内の内層接地導体と電極パッドとの間で不要なキャパシタンスが発生し、これが電極パッドと半導体素子とを接続する貫通導体等の伝送路の特性インピーダンスを所定値(50Ω)から変化させるのを防ぎ、高周波信号を伝送損失を小さくして送受信し得るようにすること。【解決手段】略円形状の電極パッド10の直径をw、基体1の主面に平行な方向における電極パッド10と内層接地導体22,23との間隔をdとした場合、0<d≦wとした。
請求項（抜粋）：
複数の絶縁層を積層して成る絶縁基板の一方の主面に半導体素子を搭載し、前記絶縁基板の他方の主面に外部接続用の略円形状の電極パッドを設け、前記絶縁基板の内部に前記半導体素子および前記電極パッドを接続する貫通導体と該貫通導体を取り囲むように略円形状の開口が形成された内層接地導体とを配設して成る半導体素子搭載用基板において、前記主面に平行な方向における前記電極パッドと前記内層接地導体との間隔dと、前記電極パッドの直径wとが0<d≦wであることを特徴とする半導体素子搭載用基板。
IPC (4件)：
H01L 23/12 ,  H01L 23/02 ,  H01L 31/0232 ,  H01S 5/022
FI (4件)：
H01L 23/02 F ,  H01S 5/022 ,  H01L 23/12 L ,  H01L 31/02 C
Fターム (11件)：
5F073AB28 ,  5F073BA02 ,  5F073EA14 ,  5F073FA07 ,  5F073FA13 ,  5F073FA18 ,  5F073FA28 ,  5F088BA02 ,  5F088EA16 ,  5F088JA14 ,  5F088JA18
引用特許：
審査官引用 (3件)

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