特許
J-GLOBAL ID：200903039138191981

半導体装置の製造方法

発明者：
中川 敏明

中川 敏明 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-402025
公開番号（公開出願番号）：特開2002-203911
出願日： 2000年12月28日
公開日（公表日）： 2002年07月19日
要約：
【要約】【課題】 トランジスタの閾値決定のためのイオン注入及びウエル形成のためのイオン注入がどのような条件であっても適用でき、かつ前記従来法以上にマスク数を低減できる多電源半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】 シリコン基板の活性領域に、同一のレジストパターンをマスクとして、ウエル形成用の不純物イオン注入と、該ウエル内に形成されるトランジスタの閾値調整用の不純物イオン注入とを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法により上記課題を解決する。
請求項（抜粋）：
シリコン基板の活性領域に、同一のレジストパターンをマスクとして、ウエル形成用の不純物イオン注入と、該ウエル内に形成されるトランジスタの閾値調整用の不純物イオン注入とを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/8238 ,  H01L 27/092
FI (3件)：
H01L 27/08 321 C ,  H01L 27/08 321 B ,  H01L 27/08 321 N
Fターム (11件)：
5F048AA09 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB14 ,  5F048BB16 ,  5F048BD04 ,  5F048BE03 ,  5F048BE04 ,  5F048BG12 ,  5F048BG14
引用特許：
審査官引用 (3件)

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