特許

J-GLOBAL ID：200903039141395032

レジストパターン形成方法、表面改質材料

発明者： 細野 隆之 ,  富田 浩明 ,  三留 清文 ,  前盛 諭
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (5件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-161255
公開番号（公開出願番号）：特開2009-002999
出願日： 2007年06月19日
公開日（公表日）： 2009年01月08日
要約：

【課題】液浸露光におけるディフェクトを低減できる新規なレジストパターン形成方法、および該方法に好適に用いられる表面改質材料を提供する。【解決手段】支持体上に、レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を浸漬露光する工程、前記浸漬露光後のレジスト膜上に、アルカリ現像液に溶解可能な樹脂成分(R)が有機溶剤(S)に溶解してなる表面改質材料を塗布して表面改質層を形成することによりレジスト積層体を得る工程、および前記レジスト積層体をアルカリ現像液で現像処理する工程を含むレジストパターン形成方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

支持体上に、レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を浸漬露光する工程、前記浸漬露光後のレジスト膜上に、アルカリ現像液に溶解可能な樹脂成分(R)が有機溶剤(S)に溶解してなる表面改質材料を塗布して表面改質層を形成することによりレジスト積層体を得る工程、および前記レジスト積層体をアルカリ現像液で現像処理する工程を含むレジストパターン形成方法。

IPC (3件)：

G03F 7/38 ,  C08F 32/04 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F7/38 511 ,  C08F32/04 ,  H01L21/30 568

Fターム (24件)：

2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096EA05 ,  2H096EA23 ,  2H096FA01 ,  2H096FA05 ,  2H096GA08 ,  4J100AR11P ,  4J100AR11Q ,  4J100AR11R ,  4J100BA03R ,  4J100BA15Q ,  4J100BA28P ,  4J100BA58P ,  4J100BB18P ,  4J100BB18Q ,  4J100BB18R ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100JA38 ,  5F046AA28 ,  5F046JA22 ,  5F046LA18

引用特許：

審査官引用 (2件)

• リソグラフィー用現像前処理剤、それを用いたパターン形成方法及びパターン形成材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-341174   出願人：東京応化工業株式会社
• 化学増幅型レジストパターンディフェクト低減用処理剤及びそれを用いるレジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-127174   出願人：東京応化工業株式会社