特許
J-GLOBAL ID：200903039158343338

不揮発性半導体記憶装置

発明者：
内川 浩典

内川 浩典 について

, 
石川 達之

石川 達之 について

, 
本間 充祥

本間 充祥 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について

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東芝マイクロエレクトロニクス株式会社

東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (2件)： 伊丹 勝 ,  田村 和彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-289974
公開番号（公開出願番号）：特開2008-108356
出願日： 2006年10月25日
公開日（公表日）： 2008年05月08日
要約：
【課題】不揮発性半導体記憶装置の誤り訂正能力を高める。【解決手段】不揮発性半導体記憶装置は、閾値電圧の差により情報を記憶することが可能なメモリセルを複数配列させたメモリセルアレイと、メモリセルより読み出された閾値電圧の値より、記憶したデータビットの尤度値を求めるための複数の尤度計算アルゴリズムを有する尤度計算手段と、尤度計算手段により得られた尤度値を用いて反復処理により誤り訂正を行う誤り訂正手段と、誤り訂正手段より得られる反復処理による反復回数の所定の値を基準に、尤度計算手段における尤度計算アルゴリズムを変更するための尤度計算制御手段を備えている。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
閾値電圧の差により情報を記憶することが可能なメモリセルを複数配列させたメモリセルアレイと、 前記メモリセルより読み出された閾値電圧の値より、記憶したデータビットの尤度値を求めるための複数の尤度計算アルゴリズムを有する尤度計算手段と、 前記尤度計算手段により得られた尤度値を用いて反復処理により誤り訂正を行う誤り訂正手段と、 前記誤り訂正手段より得られる前記反復処理による反復回数の所定の値を基準に、前記尤度計算手段における尤度計算アルゴリズムを変更するための尤度計算制御手段と、 を備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (3件)：
G11C 16/06 ,  G11C 16/04 ,  G11C 29/42
FI (3件)：
G11C17/00 639C ,  G11C17/00 622E ,  G11C29/00 631Q
Fターム (12件)：
5B125BA02 ,  5B125CA28 ,  5B125DD00 ,  5B125DD08 ,  5B125DE08 ,  5B125EA05 ,  5B125FA01 ,  5B125FA05 ,  5L106AA10 ,  5L106BB12 ,  5L106FF05 ,  5L106GG05
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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