不揮発性半導体メモリ

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮井暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-072847
公開番号（公開出願番号）：特開2000-268593
出願日： 1999年03月18日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】【課題】リード、プログラムベリファイ、イレーズベリファイ時ワード線に様々な電圧を印加し、そのため多くの電源が必要になり、チップ面積が増大するばかりか、それぞれの電源の制御が煩雑になるといった問題を解消する。【解決手段】 MOS型メモリセルMのセル電流と基準電流Irefを基にして作成した判定用しきい値電流とを比較することによりセンス動作を行う少なくとも1個のセンスアンプ1を備え、センスアンプ1はスイッチS0〜S3を切り替えることで判定用しきい値電流の値が可変で、リード/プログラムベリファイ/イレーズベリファイの各モードのうち少なくとも1つのモードは他のモードとは判定用しきい値電流の値が異なる。

請求項（抜粋）：

フローティングゲートを有する多数のMOS型メモリセルからなるメモリセルアレイと、外部から入力されるモード信号に応じて制御信号を出力する制御部と、基準電流を生成する基準電流生成部と、前記MOS型メモリセルのセル電流と前記基準電流を基にして作成した判定用しきい値電流とを比較することによりセンス動作を行う少なくとも1個のセンスアンプと、前記センスアンプの出力信号を増幅する出力バッファとを備え、前記センスアンプは前記制御部からの制御信号に応じて前記判定用しきい値電流の値が可変で、リード/プログラムベリファイ/イレーズベリファイの各モードのうち少なくとも1つのモードは他のモードとは前記判定用しきい値電流の値が異なることを特徴とする不揮発性半導体メモリ。

IPC (2件)：

G11C 16/06 , G11C 16/02

FI (3件)：

G11C 17/00 634 E , G11C 17/00 611 A , G11C 17/00 612 B

Fターム (8件)：

5B025AA03 , 5B025AB01 , 5B025AC01 , 5B025AD00 , 5B025AD06 , 5B025AD09 , 5B025AE01 , 5B025AE08

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-225170 出願人：三洋電機株式会社
特開平1-165095
特開昭63-029397

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