特許
J-GLOBAL ID:200903039160683146

半導体流量測定装置およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大岩 増雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-017595
公開番号(公開出願番号):特開平8-210890
出願日: 1995年02月06日
公開日(公表日): 1996年08月20日
要約:
【要約】【目的】 流体の流量を測定する半導体流量測定装置において、流量の測定を行う位置付近に堆積する塵埃を検出し、これを除去すること。【構成】 架橋部100の下面と凹部31の表面とに電極18、電極20を形成し、電極間の抵抗や容量変化を調べることで、凹部31内に堆積する塵埃を検出する。また、上記電極間に電流を印加することにより塵埃を焼失させる。【効果】 塵埃の堆積を検出し、半導体流量測定装置の誤動作を未然に防止する。
請求項(抜粋):
流体中に配置することにより該流体の流量を測定する装置であって、表面に凹部を有する半導体基板と、前記半導体基板と熱的絶縁を与える空間を介して前記凹部の上方に配置された発熱素子とを備え、該発熱素子の特性が周囲の前記流体の流速に応じて変化することにより前記流体の流量を測定することが可能な半導体流量測定装置において、前記熱的絶縁を与える程度の空間内に堆積する塵埃を検出するための塵埃検出素子を配置したことを特徴とする半導体流量測定装置。
引用特許:
審査官引用 (3件)

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